窒化ガリウム系半導体発光素子

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：大澤斌 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-203186
公開番号（公開出願番号）：特開2003-017808
出願日： 2001年07月04日
公開日（公表日）： 2003年01月17日
要約：

【要約】【課題】窒化ガリウム系マルチビーム半導体レーザ素子を提供する。【解決手段】本GaN系半導体発光素子10は、マルチビーム半導体レーザ素子であって、段差基板12上にGaN系積層構造14を備えている。凸部16A、Bは、それぞれ、凸部高が同じで、凸部幅がWA 及びWA より狭いWB である。段差基板では、凸部の上方のGaInN活性層22のIn濃度は、凸部両端部近傍上の領域が、平坦な基板面上に比べて減少する。凸部Aは、凸部幅WA が凸部幅WB に比べて広いので、凸部Aの両端部上方のIn濃度が減少しても、活性領域36A全体のIn濃度に対する影響が小さい。一方、凸部幅WB の凸部Bは、両端部上方のIn濃度が減少すると、凸部幅が狭いので、活性領域36B全体のIn濃度に対する影響が大きくなり、活性領域のIn濃度が、凸部A上の活性領域のIn濃度より低くなる。これにより、活性領域Bから出射されるレーザ光Bは、波長が、活性領域Aから出射されるレーザ光Aより短くなる。

請求項（抜粋）：

帯状に延在する複数個の凸部を離隔して基板面上に有する段差基板と、発光層としてIn含有層を有し、各層が段差基板上の凸部に沿って層状に形成された窒化ガリウム系化合物半導体積層構造とを有し、凸部の少なくとも一つは、凸部幅及び凸部高の少なくともいずれかが残りの凸部と異なり、凸部幅の広狭又は凸部高の高低により発光波長が異なることを特徴とする窒化ガリウム系半導体発光素子。

IPC (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/323 610

FI (2件)：

H01S 5/22 610 , H01S 5/323 610

Fターム (7件)：

5F073AA14 , 5F073AA89 , 5F073AB06 , 5F073CA07 , 5F073DA05 , 5F073DA21 , 5F073DA35

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