洗浄装置、洗浄システム、処理装置及び洗浄方法

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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：浅井章弘
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-235754
公開番号（公開出願番号）：特開2001-110773
出願日： 2000年08月03日
公開日（公表日）： 2001年04月20日
要約：

【要約】【課題】被処理体の金属配線層等が酸化されることを防止することができる洗浄装置を提供する。【解決手段】被処理体Wを収容する処理空間Sが形成された洗浄処理容器72と、前記被処理体を処理するための洗浄流体を貯留する流体貯溜槽30と、前記流体貯溜槽から前記洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給する供給路46A〜46Dと、前記洗浄処理容器から前記流体貯溜槽に前記洗浄流体を戻す環流路47A〜47Dとを備え、前記洗浄処理容器、前記流体貯溜槽、前記供給路及び前記環流路により密閉された洗浄流体循環路51A〜51Dを形成し、前記被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方向に対して垂直な前記処理空間の断面積は、前記方向に対して垂直な前記被処理体断面積の最大値よりも所定倍大きく設定する。これにより、被処理体の金属配線層等が酸化されることを防止する。

請求項（抜粋）：

被処理体を収容する処理空間が形成された洗浄処理容器と、前記被処理体を処理するための洗浄流体を貯留する流体貯溜槽と、前記流体貯溜槽から前記洗浄処理容器に前記洗浄流体を供給する供給路と、前記洗浄処理容器から前記流体貯溜槽に前記洗浄流体を戻す環流路とを備え、前記洗浄処理容器、前記流体貯溜槽、前記供給路及び前記環流路により密閉された洗浄流体循環路を形成し、前記被処理体上を横切る前記流体の層流の流れ方に対して垂直な前記処理空間の断面積は、前記方向に対して垂直な前記被処理体断面積の最大値よりも所定倍大きいことを特徴とする洗浄装置。

IPC (5件)：

H01L 21/304 648 , H01L 21/304 , H01L 21/304 642 , B08B 3/08 , B08B 3/12

FI (5件)：

H01L 21/304 648 K , H01L 21/304 648 F , H01L 21/304 642 E , B08B 3/08 Z , B08B 3/12 D

引用特許：

審査官引用 (14件)

特開平3-169013
半導体基板の洗浄装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平9-132420 出願人：住友シチックス株式会社
浸漬型基板処理装置
公報種別：公開公報出願番号：特願平3-353334 出願人：大日本スクリーン製造株式会社

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