半導体装置の製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：恩田博宣
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-190389
公開番号（公開出願番号）：特開平5-036669
出願日： 1991年07月30日
公開日（公表日）： 1993年02月12日
要約：

【要約】【目的】発光強度に悪影響を及ぼすことのない半導体装置の製造方法を提供することにある。【構成】 p型単結晶シリコン基板1を陽極化成処理して多孔質シリコンを形成し、さらに、この単結晶シリコン基板1を濃度5%のフッ酸に5分間浸漬して多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去する。

請求項（抜粋）：

単結晶シリコンを陽極化成処理して多孔質シリコンを形成する第1工程と、多孔質シリコンの表面に形成された酸化膜を除去する第2工程とを備えたことを特徴とする半導体装置の製造方法。

IPC (3件)：

H01L 21/306 , H01L 27/15 , H01L 33/00

引用特許：

審査官引用 (2件)

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