特許

J-GLOBAL ID：200903070339010467

露光方法及び露光用マスク

発明者： 橋本 武夫
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 菅野 中
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-223632
公開番号（公開出願番号）：特開平11-067640
出願日： 1997年08月20日
公開日（公表日）： 1999年03月09日
要約：

【要約】【課題】 ラインパターン、特にパターンの近傍に隣接したパターンのない、いわゆる孤立ラインパターンのDOFを拡大する。【解決手段】 半導体基板上に形成された感光性有機被膜に周期性を有するパターンを含む第1のマスクパターンを露光する工程と、前記周期性のパータンとは異なる周期の周期性パターンを含む第2のマスクパターンを露光する工程を含む露光方法において、前記第1のマスクに含まれる周期パターンのライン部とスペース部の比を1:1.1から1:1.5の範囲内に設定し、このマスクを用いて露光を行う。

請求項（抜粋）：

第1のマスクパターン露光工程と、第2のマスクパターン露光工程とを有する露光方法であって、前記第1のマスクパターン露光工程は、半導体基板上に形成された感光性有機被膜に周期性を有するパターンを含む第1のマスクパターンを露光する処理を行うものであり、前記第2のマスクパターン露光工程は、前記第1のマスクパターン露光工程に引続いて行う工程であって、前記周期性のパターンとは異なる周期の周期性パターンを含む第2のマスクパターンを露光する処理を行うものであり、前記第1のマスクパターンに含まれる周期パターンのライン部とスペース部の比は、1:1.1から1:1.4の範囲内に設定するものであることを特徴とする露光方法。

IPC (3件)：

H01L 21/027 ,  G03F 1/08 ,  G03F 7/20 521

FI (4件)：

H01L 21/30 502 C ,  G03F 1/08 D ,  G03F 7/20 521 ,  H01L 21/30 502 P