特許

J-GLOBAL ID：200903070340888247

液晶表示基板

発明者： 海東 拓生 ,  佐藤 敏浩 ,  大和久 芳治
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所 ,  日立デバイスエンジニアリング株式会社
代理人 (1件)： 秋田 収喜
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-305735
公開番号（公開出願番号）：特開平9-146117
出願日： 1995年11月24日
公開日（公表日）： 1997年06月06日
要約：

【要約】【課題】 開口率の向上を図る。【解決手段】 液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面のマトリックス状の各画素領域に透明の画素電極と薄膜トランジスタとを備え、このうち列方向に並設された薄膜トランジスタを共通にオンさせるためのゲート信号線と、オンされた該薄膜トランジスタを介して対応する画素電極に映像信号を供給するためのドレイン信号線とが形成されているものであって、前記薄膜トランジスタは、ポリシリコンからなる半導体層を備えるとともに、そのゲート電極を構成するゲート信号線は該半導体層の上層に形成されている液晶表示基板において、前記薄膜トランジスタは、少なくともそのチャネル形成領域と前記ドレイン信号線と接続される部分とが該ドレイン信号線の下層に位置づけられている。

請求項（抜粋）：

液晶を介して互いに対向配置される透明基板のうちの一方の透明基板の液晶側の面のマトリックス状の各画素領域に透明の画素電極と薄膜トランジスタと保持容量Cを備え、このうち列方向に並設された薄膜トランジスタを共通にオンさせるためのゲート信号線と、オンされた該薄膜トランジスタを介して対応する画素電極に映像信号を供給するためのドレイン信号線とが形成されているものであって、前記薄膜トランジスタは、シリコンからなる半導体層を備えるとともに、そのゲート電極を構成するゲート信号線は該半導体層の上層に形成されている液晶表示基板において、前記薄膜トランジスタは、少なくともそのチャネル形成領域と前記ドレイン信号線と接続される部分とが該ドレイン信号線の下層に位置づけられ、前記保持容量も、少なくともその一部が前記ドレイン信号線の下層に位置づけられていることを特徴とする液晶表示基板。

IPC (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/786

FI (2件)：

G02F 1/136 500 ,  H01L 29/78 612 C

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特開昭58-074067
  
• 特開昭63-070832
  
• 特開平4-335617
  
• 特開昭55-000518
  
• 特開平2-176726