特許
J-GLOBAL ID：200903070341079490
抵抗素子の製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-113867
公開番号（公開出願番号）：特開2000-307060
出願日： 1999年04月21日
公開日（公表日）： 2000年11月02日
要約：
【要約】【課題】従来の多結晶シリコンを用いた抵抗素子の製造方法では、抵抗体の上の層間絶縁膜にコンタクトを開口するときに層間絶縁膜を完全に取り除くためのオーバーエッチングにより抵抗体の接続部分が掘られ、洗浄工程を通しても除去され難いエッチング反応生成物が残留し、その後に形成されるアルミニウム配線とのオーミックコンタクトが形成され難く、コンタクト抵抗の増大及びコンタクト抵抗のバラツキ増大を招いていた。【解決手段】抵抗素子の抵抗体24となる多結晶シリコン膜23の上に高融点金属シリサイド28を堆積させ、抵抗素子の接続部分にのみ高融点金属シリサイドを残すことにより、コンタクト開口時のコンタクトの過剰な掘られを無くすことができる。それと同時に、高融点金属シリサイドを残す工程の後に、不純物のイオン注入を行うことにより、抵抗素子の抵抗値も調整することが出来る。
請求項（抜粋）：
第1絶縁膜上に順にシリコン膜と第1導電膜とからなる積層膜を形成し、前記積層膜の抵抗体となる部分以外の前記積層膜を除去して抵抗体を形成し、前記抵抗体の抵抗となる領域が露出するように前記抵抗体を含む前記第1絶縁膜上に第2絶縁膜を形成し、前記第2絶縁膜をマスクとして前記第1導電膜を除去して残った前記第1導電膜を前記抵抗体の電極とし、前記第2絶縁膜をマスクとして前記抵抗体に導電物を導入し、第2絶縁膜を除去して前記抵抗体を含む前記第1絶縁膜上に層間絶縁膜となる第3絶縁膜を形成し、前記抵抗体に導入された前記導電物を活性化する熱処理を施して前記抵抗体の抵抗値を調整し、前記抵抗体の電極の上の前記第3絶縁膜の所定領域を除去して抵抗体コンタクトを設け、前記抵抗体コンタクトに第2導電膜を埋め込むことを特徴とする抵抗素子の製造方法。
IPC (2件)：
Fターム (8件)：
5F038AR08
, 5F038AR09
, 5F038AR10
, 5F038AR16
, 5F038EZ13
, 5F038EZ15
, 5F038EZ17
, 5F038EZ20
