イオン注入方法、及びその方法を用いる薄膜の応力制御方法、並びにイオン注入装置

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：北野好人
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-287001
公開番号（公開出願番号）：特開平7-078754
出願日： 1993年11月16日
公開日（公表日）： 1995年03月20日
要約：

【要約】【目的】薄膜の面内応力分布を均一にし、且つその応力を小さくすることができる薄膜の応力制御方法及びX線マスクの製造方法並びにこれらの方法を実施するのに適したイオン注入方法及びイオン注入装置を提供する。【構成】X線近接露光用マスク10のX線透過層12上にX線吸収体薄膜としてのTa薄膜14を成長させ、各部の応力をFSM装置を用いて測定すると、中心部から少し離れた所に極大値をもつ同心円状に変化する分布をなす(図2(a)参照)。次いで、所望のイオン電流密度分布をもつAr+ イオンビーム16をTa薄膜14に照射する。この照射によるTa薄膜14へのAr+ イオン注入量は、Ta薄膜14の応力分布に対応した面内分布をもっている点に特徴がある(図2(b)参照)。従って、こうしたAr+ イオンの注入により、Ta薄膜14の応力分布が消滅し、その応力値もほぼ0にまで減少する(図2(c)参照)。

請求項（抜粋）：

イオン源において発生させたイオンをイオンビームとして取り出し、該取り出したイオンビームの中から所望のイオンビームのみを質量分析器によって選択し、該選択したイオンビームを試料に照射するイオン注入法において、イオンビームが前記試料表面の各部を照射するイオンビーム照射時間を変化させて、前記試料に注入されるイオン注入量が所望の面内分布をもつように制御することを特徴とするイオン注入方法。

IPC (4件)：

H01L 21/027 , H01J 37/04 , H01J 37/317 , H01L 21/265

FI (4件)：

H01L 21/30 531 , H01L 21/265 D , H01L 21/265 W , H01L 21/265 F

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