特許

J-GLOBAL ID：200903070343618186

MOS型固体撮像装置及びその製造方法

発明者： 栗山 俊寛
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-215655
公開番号（公開出願番号）：特開2004-063498
出願日： 2002年07月24日
公開日（公表日）： 2004年02月26日
要約：

【課題】低電圧でフォトダイオードの信号電荷の読み出しが行え、かつ信号電荷の取り残しのないMOS型固体撮像装置を提供する。【解決手段】第1導電型の半導体基板1上に、入射された光を信号電荷に変換するフォトダイオード領域と、フォトダイオード領域の一端と略隣接し、フォトダイオード領域における第2導電型の領域2に対向して形成された第1のゲート電極部6と、第1のゲート電極6に隣接して形成された第2のゲート電極7と、第2のゲート電極7の一端に略隣接して形成された第2導電型のドレイン領域8とを備えている。【選択図】 図1

請求項（抜粋）：

第1導電型の半導体基板上に、 入射された光を信号電荷に変換するフォトダイオード領域と、 前記フォトダイオード領域の一端と略隣接し、前記フォトダイオード領域における第2導電型の領域に対向して形成された第1のゲート電極部と、 前記第1のゲート電極に隣接して形成された第2のゲート電極と、 前記第2のゲート電極の一端に略隣接して形成された第2導電型のドレイン領域とを備えたことを特徴とするMOS型固体撮像装置。

IPC (2件)：

H01L27/146 ,  H04N5/335

FI (2件)：

H01L27/14 A ,  H04N5/335 E

Fターム (16件)：

4M118AA04 ,  4M118AB01 ,  4M118BA14 ,  4M118CA02 ,  4M118CA03 ,  4M118EA07 ,  4M118EA09 ,  4M118EA14 ,  4M118EA20 ,  4M118FA06 ,  4M118FA08 ,  5C024CX17 ,  5C024CY47 ,  5C024GX03 ,  5C024GY31 ,  5C024GZ02