特許
J-GLOBAL ID：200903070343847061
MRAMにおける電気移動の阻害のための方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-200236
公開番号（公開出願番号）：特開2002-093149
出願日： 2001年06月29日
公開日（公表日）： 2002年03月29日
要約：
【要約】【課題】従って、本発明の課題は、MRAMにおいて電気移動の阻害をするための方法を提供し、MRAMの性能のそのような破壊を妨害することである。【解決手段】プログラムのステップの後に、直流信号が適用されるワード線およびビット線によって、その直流信号に関する極性において反対のさらなる直流信号が送信されることによって解決される。しかし、このさらなる直流信号は、選択された抵抗に属するワード線およびビット線に対して時間的に提供されるか、または直流信号に対して減少した振幅およびより長い長さがもたらされる。
請求項（抜粋）：
ワード線(WL)、該ワード線(WL)と交叉するビット線(BL)、および該ワード線(WL)と該ビット線(BL)との交叉点に存在する抵抗(R)からのMRAMにおける電気移動の阻害のための方法であって、該抵抗の抵抗値が、磁場による影響を受けた結果、この2つの論理状態「1」または「0」が割り当てられ、それにより、1つのプログラムステップにおいて、選択された抵抗に属するワード線およびビット線によって、同時に、それぞれ、合わせた磁場が生成する直流信号の同じ磁場が送られ、ここで、該プログラムステップの後に、その直流信号を用いて受容されるワード線およびビット線(WL、BL)によって、直流信号に対して極性が対向するさらなる直流信号が送られることを特徴とする、方法。
IPC (3件)：
G11C 11/15
, G11C 11/14
, H01L 27/105
G11C 11/15
, G11C 11/14 E
, H01L 27/10 447
