特許

J-GLOBAL ID：200903070343895392

半導体装置および半導体装置の製造方法

発明者： 梶 成彦
出願人/特許権者： 株式会社半導体先端テクノロジーズ
代理人 (2件)： 高田 守 ,  高橋 英樹
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2002-272884
公開番号（公開出願番号）：特開2004-111688
出願日： 2002年09月19日
公開日（公表日）： 2004年04月08日
要約：

【課題】低誘電率化を実現するとともに、製造工程において膜剥離などの不良を発生することのない有機絶縁膜材料を用いた半導体装置および半導体装置の製造方法を提供する。【解決手段】半導体基材上にフッ素を含有する有機膜を形成する工程と、前記有機膜上にシリコンを含有する成膜ガスを用いて中間膜を形成する工程と、前記中間膜上に無機膜を形成する工程とを有することを特徴とする。フッ素を含有する有機膜としては、フッ素化アリレン膜を用いることができる。【選択図】 図2

請求項（抜粋）：

フッ素を含有する有機膜と、 前記有機膜上に形成されたシリコンを含有する中間膜と、 前記中間膜上に形成された無機膜とを有することを特徴とする半導体装置。

IPC (2件)：

H01L21/312 ,  H01L21/768

FI (3件)：

H01L21/312 N ,  H01L21/90 S ,  H01L21/90 P

Fターム (23件)：

5F033QQ54 ,  5F033QQ74 ,  5F033RR04 ,  5F033RR06 ,  5F033RR22 ,  5F033RR23 ,  5F033RR24 ,  5F033SS11 ,  5F033SS15 ,  5F033SS22 ,  5F033TT04 ,  5F033WW03 ,  5F033XX12 ,  5F033XX24 ,  5F058AA08 ,  5F058AA10 ,  5F058AD02 ,  5F058AD05 ,  5F058AD06 ,  5F058AF01 ,  5F058AG01 ,  5F058AG07 ,  5F058AH02