特許

J-GLOBAL ID：200903070349308847

アナログおよびデジタル記憶用の電気的に書換え可能な不揮発性半導体メモリ

発明者： ブリス,トレヴァー ,  シンコ,リチャード・ティ
出願人/特許権者： インフォメーション・ストレジ・デバイシーズ・インコーポレーテッド
代理人 (1件)： 山川 政樹 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-507740
公開番号（公開出願番号）：特表平10-510658
出願日： 1996年07月24日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】不揮発性メモリ・アレイ内でアナログ記憶を達成する方法および装置。アレイは、消去にはファウラー-ノルドハイム・トンネル効果を利用し、プログラミングには熱電子注入を利用するメモリ・セルから構成される。セルへの書込みは、初期消去の後、セルがその間小さい増分でプログラミングされているプログラム動作の制御されたシーケンスによって実施される。記憶された電圧は、各プログラム・ステップの後で読み出され、セルから読み出された電圧が所望のアナログ・レベルに等しくなるかまたはちょうど越えたとき、プログラム・ステップのシーケンスは終了する。セルの読出し状態は、ドレインまたは共通の線に正の電圧を印加し、制御ゲートに正の電圧を印加する。ソースは、負荷デバイスを介して負の(接地)電源に接続される。セルからの出力は、ソース・ノードのところで発生する実際の電圧である。

請求項（抜粋）：

れぞれのアナログ電圧を記憶しかつフローティング・ゲート上の電荷に応じて消去されるフローティング・ゲート記憶セルのアレイと、 電子のファウラー-ノルドハイム・トンネル効果を使用してアレイの記憶セルを消去する回路と、 各記憶セル内に記憶された電圧を読み出す回路と、 それぞれのアナログ電圧を読み出すように熱電子注入を使用して各記憶セルをプログラミングする回路とを含むアナログ電圧記憶装置。

IPC (2件)：

G11C 16/02 ,  G11C 16/04

FI (2件)：

G11C 17/00 611 E ,  G11C 17/00 621 B

引用特許：

審査官引用 (5件)

• 特表平4-500576
  
• 特表平6-504156
  
• 特表平6-504647
  
• 特開平4-238196
  
• 半導体読み出し専用メモリ
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-008743   出願人：シャープ株式会社