半導体光集積素子

発明者： , ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小川勝男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平7-241303
公開番号（公開出願番号）：特開平9-083068
出願日： 1995年09月20日
公開日（公表日）： 1997年03月28日
要約：

【要約】【目的】高出力かつ超短光パルスを発生する半導体光集積素子を提供することにある。【構成】半導体集積モード同期レーザの増幅領域7において、基板に垂直方向のテーパ型導波路2と4を有する。その素子は、結晶面方位が(001)から20度〜90度の範囲で傾いた基板1上に形成され、活性層3は圧縮歪み量子井戸層によって形成される。【効果】安定で低コストかつ超小型の高出力超短光パルス発生素子が実現できる。この素子は、長距離大容量光通信用または計測用の短パルス発生光源に好適である。

請求項（抜粋）：

基板に垂直方向のテーパ型光導波路を有することを特徴とする半導体光集積素子。

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