特許
J-GLOBAL ID：200903070357908918
炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
篠部 正治
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-350329
公開番号（公開出願番号）：特開平11-186256
出願日： 1997年12月19日
公開日（公表日）： 1999年07月09日
要約：
【要約】【課題】大きなチャネル移動度の得られる炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法を提供する。【解決手段】予め水素または水素と不活性ガスとの混合ガス雰囲気中で800〜1200°Cに5分間以上加熱する前処理をおこなった後、熱酸化により酸化けい素膜を形成する。微量の塩酸ガスを加えるとなお良い。
請求項（抜粋）：
炭化けい素を酸化雰囲気中で加熱して表面に酸化けい素膜を成長させる熱酸化膜形成方法において、予め水素雰囲気中で加熱する前処理をおこなった後、熱酸化膜を形成することを特徴とする炭化けい素半導体装置の熱酸化膜形成方法。
IPC (2件)：
FI (2件)：
H01L 21/316 S
, H01L 29/78 301 G
