特許
J-GLOBAL ID：200903070357914225
化合物半導体のための研磨液及びこれを用いた化合物半導体の研磨方法
発明者：
,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
半田 昌男
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-341276
公開番号（公開出願番号）：特開平7-161669
出願日： 1993年12月10日
公開日（公表日）： 1995年06月23日
要約：
【要約】【目的】 InP 及びInSbのウェハの鏡面研磨加工に使用することができる、臭素を含まない化合物半導体のための研磨液及びこれを用いた化合物半導体の研磨方法を提供する。【構成】 InP ウェハの鏡面研磨に使用されている臭素+メチルアルコール系の研磨液が酸性を示すことに着目し、アルカリ性であるコライダルシリカにクエン酸及び過酸化水素を添加して酸性に調整し、これを研磨液としてInP 及びInSbの鏡面研磨加工を行う。InP ではpH=5、InSbではpH=4となるよう調整したものを研磨液として使用し、加工圧力をInP では100g/cm2 、InSbでは80g/cm2 として鏡面研磨加工を実行したときに、最も良好な結果が得られた。
請求項（抜粋）：
コライダルシリカに有機酸及び過酸化水素を混合してなることを特徴とする化合物半導体のための研磨液。
IPC (2件)：
H01L 21/304 321
, H01L 21/304
