特許

J-GLOBAL ID：200903070376556593

光電気変換体、建材及び発電装置

発明者： 塩崎 篤志 ,  大利 博和 ,  岡田 直人 ,  斎藤 恵志 ,  金井 正博
出願人/特許権者： キヤノン株式会社
代理人 (1件)： 丸島 儀一
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-056077
公開番号（公開出願番号）：特開平10-256575
出願日： 1997年03月11日
公開日（公表日）： 1998年09月25日
要約：

【要約】【課題】 本発明は、光劣化を少なくし、変換効率が高く、安価に製造でき、軽くて、フレキシブルな、総合的に優れた光電気変換体の構成、これを用いた建材及び発電装置を提案することを目的とする。【解決手段】 半導体接合をもつ積層体における複数の半導体接合は、互いに相違した分光感度と光照射によって引き起こる光劣化に関する互いに相違した劣化率を持ち、最少劣化率の半導体接合に基づく光電流が最大劣化率の半導体接合に基づく光電流より大きくなる様に、該2種の半導体接合を設けてなる光電気変換部、並びに、前記光入射面上に、前記最少劣化率の半導体接合の分光感度領域光を吸収させることによって、該最少劣化率の半導体接合に基づく光電流を前記最大劣化率の半導体接合に基づく光電流より小さくさせる表面部材を有する光電気変換体に、特徴を有する。

請求項（抜粋）：

基板、該基板上に配置した非結晶半導体によって形成させた半導体接合を複数積層させた積層体及び光入射面を持つ光電気変換部であって、該積層体における複数の半導体接合は、互いに相違した分光感度と光照射によって引き起こる光劣化に関する互いに相違した劣化率を持ち、最少劣化率の半導体接合に基づく光電流が最大劣化率の半導体接合に基づく光電流より大きくなる様に、該2種の半導体接合を設けてなる光電気変換部、並びに、前記光入射面上に、前記最少劣化率の半導体接合の分光感度領域光を吸収させることによって、該最少劣化率の半導体接合に基づく光電流を前記最大劣化率の半導体接合に基づく光電流より小さくさせる表面部材を有する光電気変換体。