特許

J-GLOBAL ID：200903070387847026

酸化物超電導体およびその製造方法

発明者： 田村 俊之 ,  安達 成司 ,  呉 暁京 ,  山内 尚雄
出願人/特許権者： 古河電気工業株式会社 ,  松下電器産業株式会社 ,  財団法人国際超電導産業技術研究センター
代理人 (1件)： 鈴江 武彦
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-219250
公開番号（公開出願番号）：特開平8-081221
出願日： 1994年09月13日
公開日（公表日）： 1996年03月26日
要約：

【要約】【目的】本発明は、100K以上のTcを有すると共に、取扱いの極めて困難なTlやHg、あるいは資源的に資源的に偏在し精製コストが高い希土類元素を含まない酸化物超電導体およびその製造方法を提供することを目的とする。【構成】(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1 Cun O2n+3+z(ただし、0≦x≦0.6 、0≦y≦0.6 、x+y≦0.6 、nは1以上の整数、-0.6≦z≦0.5 、MはCuもしくはCd、A1,A2,およびA3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元素)の組成式で表され、Pb、MおよびA1原子の原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が 0.5〜1.5 である原子層およびA2原子1に対して酸素原子1以下である原子層の積層構造を有する岩塩構造を基本とした部分と、Cu原子1に対して酸素原子2である原子層およびA3原子のみの原子層の積層構造を有する無限層構造部分とを積層した結晶構造を有することを特徴とする。

請求項（抜粋）：

(Pb1-x-y Mx (A1)y )(A2)2 (A3)n-1 Cun O2n+3+z(ただし、0≦x≦0.6、0≦y≦0.6、x+y≦0.6、nは1以上の整数、-0.6≦z≦0.5、MはCuもしくはCd、A1,A2,およびA3は各々Ba,Sr,Caのうち少なくとも一つの元素)の組成式で表され、岩塩構造を基本とした部分と無限層構造部分とが積み重なった結晶構造を有し、前記岩塩構造を基本とした部分は、Pb、MおよびA1原子の原子数の合計を1としたときに酸素の原子数が0.5〜1.5である原子層と、A2原子1に対して酸素原子1以下である原子層とが積み重なった構造を有し、前記無限層構造部分は、Cu原子1に対して酸素原子2である原子層と、A3原子のみの原子層とが積み重なった構造を有することを特徴とする酸化物超電導体。

IPC (3件)：

C01G 21/00 ZAA ,  C01G 1/00 ,  H01B 13/00 565