特許

J-GLOBAL ID：200903070401480602

太陽電池用基板の粗面化法

発明者： 猪股 洋介 ,  高橋 宏明 ,  白間 英樹
出願人/特許権者： 京セラ株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2001-392774
公開番号（公開出願番号）：特開2003-197940
出願日： 2001年12月25日
公開日（公表日）： 2003年07月11日
要約：

【要約】【課題】 太陽電池に用いられるシリコン等の基板表面の凹凸をエッチング処理装置のバッチ内で均一に形成することで、装置のタクトアップを可能にする。【解決手段】 太陽電池用基板の表面にドライエッチング法で微細な凹凸を形成して粗面状にする太陽電池用基板の粗面化法において、前記ドライエッチング法の条件として、それぞれ単独で微細な凹凸を形成できる少なくとも2つ以上の異なるエッチング条件を含み、この2つのエッチング条件のうち、後に行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比が、始めに行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする。

請求項（抜粋）：

太陽電池用基板の表面にドライエッチング法で微細な凹凸を形成して粗面状にする太陽電池用基板の粗面化法において、前記ドライエッチング法の条件として、それぞれ単独で微細な凹凸を形成できる少なくとも2つ以上の異なるエッチング条件を含み、この2つのエッチング条件のうち、後に行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比が、始めに行うエッチング条件で形成される凹凸形状の面内平均のアスペクト比よりも大きいことを特徴とする太陽電池用基板の粗面化法。

IPC (2件)：

H01L 31/04 ,  H01L 21/3065

FI (2件)：

H01L 31/04 H ,  H01L 21/302 N

Fターム (25件)：

5F004AA16 ,  5F004BA04 ,  5F004BB17 ,  5F004BB18 ,  5F004CA02 ,  5F004CA03 ,  5F004DA01 ,  5F004DA02 ,  5F004DA03 ,  5F004DA04 ,  5F004DA16 ,  5F004DA17 ,  5F004DA18 ,  5F004DA26 ,  5F004DA29 ,  5F004DB01 ,  5F004DB02 ,  5F004EB02 ,  5F051AA02 ,  5F051AA03 ,  5F051CB22 ,  5F051DA03 ,  5F051GA01 ,  5F051HA07 ,  5F051HA20

引用特許：

審査官引用 (4件)

• 光吸収膜の形成方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-204578   出願人：日産自動車株式会社
• 半導体基板の粗面化法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平10-117579   出願人：京セラ株式会社
• 太陽電池素子の製造方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平8-041617   出願人：京セラ株式会社
• 薄膜結晶質シリコン系太陽電池
  公報種別：公開公報   出願番号：特願2000-301419   出願人：京セラ株式会社