特許

J-GLOBAL ID：200903070404025167

縦型電界効果トランジスタ

発明者： ▲高▼橋 信光
出願人/特許権者： 日本電気株式会社
代理人 (1件)： 京本 直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-149080
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343692
出願日： 1992年06月09日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】縦型電界効果トランジスタのPN接合の順バイアス時にドレイン領域へ注入したキャリアが、逆バイアス時にゲート電極パッド近傍のセルに集中し、デバイスの破壊につながることを防止する。【構成】パッド形成領域に設けたP型拡散層3の表面に溝を設けてタングステン層7を埋込み、ソース電極9と接続することにより、P型拡散層3のキャリア収集効率を向上させ、セル部にキャリアが集中するのを防止してデバイスの破壊を防止する。

請求項（抜粋）：

一導電型半導体基板のセル形成領域に配列して設けた逆導電型のベース領域及び前記セル形成領域以外のパッド形成領域に設けた逆導電型の拡散層と、前記ベース領域内に設けてチャネル領域を規定する一導電型のソース領域と、前記チャネル領域上に設けて前記拡散層上に延在されたゲート電極と、前記拡散層に設けた溝内に埋込んで設けた高融点金属層と、前記ソース領域と前記高融点金属層とを接続して設けたソース電極と、前記ゲート電極と接続して前記拡散層上に設けたゲート電極パッドとを有することを特徴とする縦型電界効果トランジスタ。