特許
J-GLOBAL ID：200903070404803380
横形MOSトランジスタデバイス
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
杉村 暁秀 (外5名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-529357
公開番号（公開出願番号）：特表2000-513877
出願日： 1998年03月19日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：
【要約】本発明はドレーン広がり部分(8)を有する横形DMOSTに関するものである。ソース接触部はゲートと全体にわたり部分的に重なり合い、かくてこの種公知のトランジスタでゲートとドレーン間に遮蔽を形成する。ここに提供されるトランジスタでは、ソース接触部(15)はポリゲート(9)とは重なり合わずこのゲートの全く横に存在する。ゲートそれ自身は低いオーム抵抗の金属接触ストリップ(18)を備え、その結果低いゲート電極抵抗を提供する。金属遮蔽ストリップ(20)がこのゲート接触ストリップと金属ドレーン接触部(16)間に設けられ、この遮蔽ストリップは接触ストリップ(18)のチップの次のソース接触部(15)に接続される。前記遮蔽ストリップは例えばRF領域の高い周波数で電力利得の多いなる改善をもたらす。遮蔽ストリップ(20)は共通の金属層であるソース、ドレーンおよびゲート接触部とともに実現可能である。
請求項（抜粋）：
表面に横形MOSトランジスタを備えるとともに、その表面に隣接し、強く ドープされた第2導電形のソースおよびドレーン区域を備え、ドレーン広がり 部分およびソース区域間に延在するチャンネル領域とドレーン区域との間に弱 くドープされたそのドレーン広がり部分を備えた、第2導電形とは反対極性の 第1導電形の比較的弱くドープされた領域を具え、一方ゲート電極が前記チャ ンネル領域の上に位置してそれと電気的に絶縁され、電気的に絶縁された層が さらに前記表面の上に横たわってソースおよびドレーン区域の上に接触窓を備 え、それら接触窓を介してソース区域およびドレーン区域が金属のソース接触 部およびドレーン接触部それぞれに接続される半導体基体を具えた半導体デバ イスにおいて、前記絶縁された層が付加的にゲート電極の上に少なくとも1つ の接触窓を備え、その窓を介してそのゲート電極が金属ゲート電極接触部に接 続され、前記複数の接触部が互いに次々に横たわる平行な金属ストリップの形 態を有するとともに、ゲート電極接触ストリップとドレーン電極接触ストリッ プとの間の電気的に絶縁された層の上に延在し、ソース接触ストリップに局所 的に接続される別の金属ストリップが備えられ、ゲート電極ストリップとドレ ーン接触ストリップとの間の遮蔽を形成することを特徴とする半導体デバイス 。
FI (4件)：
H01L 29/78 301 G
, H01L 29/78 301 X
, H01L 29/78 652 C
, H01L 29/78 652 L
