特許
J-GLOBAL ID:200903070405218376

化学的気相合成法による硬質炭素質薄膜の形成方法及びその装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 内山 充
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-301827
公開番号(公開出願番号):特開平6-128747
出願日: 1992年10月14日
公開日(公表日): 1994年05月10日
要約:
【要約】【構成】放電用固定電極板を多数対向させて配置して成る反応室において、それぞれの電極板間に大口径基板を配置したのち、該反応室に炭素源ガス及び不活性ガスを供給し、減圧下に該放電用固定電極板の両面にプラズマを発生させ、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させる方法、及びこの方法を実施するための化学的気相合成装置である。【効果】化学的気相合成法により、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させることができる。
請求項(抜粋):
放電用固定電極板を多数対向させて配置して成る反応室において、それぞれの電極板間に大口径平板からなる基板を1個ずつ配置したのち、該反応室に炭素源ガス及び不活性ガスを供給し、減圧下に該放電用固定電極板の両面にプラズマを発生させ、複数枚の大口径基板の両面に硬質炭素質薄膜を同時に形成させることを特徴とする化学的気相合成法による硬質炭素質薄膜の形成方法。
IPC (2件):
C23C 16/26 ,  C23C 16/50

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