1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造方法

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出願人/特許権者：
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-094551
公開番号（公開出願番号）：特開2000-290289
出願日： 1999年04月01日
公開日（公表日）： 2000年10月17日
要約：

【要約】【課題】従来の製造法での、反応収率が低い、分離困難な副生物が生成する、環境上好ましくないなど問題を解消した1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造法を提供する。【解決手段】下記一般式(1)(化1)で示される2-デオキシリボフラノース誘導体を、非プロトン性溶媒中でハロゲン化水素ガスと反応したのち、アシルハライドもしくはチオニルハライドと反応させることを特徴とする、下記一般式(2)(化2)で示される1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造方法。【効果】1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体を高純度で、安全かつ工業的に製造する方法を提供する。

請求項（抜粋）：

下記一般式(1)(化1)【化1】(式中、R1はハロゲン原子で置換されていてもよい炭素数1から4のアルキル基を表し、R2およびR3はそれぞれ独立に、炭素数1から4のアルキル基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよいベンジル基、炭素数2から4の脂肪族アシル基、炭素数1から4のアルキル基又はハロゲン原子で置換されていてもよい芳香族アシル基を表す。)で示される2-デオキシリボフラノース誘導体を、非プロトン性溶媒中においてハロゲン化水素ガスと反応させたのち、アシルハライドもしくはチオニルハライドと反応させることを特徴とする下記一般式(2)(化2)【化2】(式中、R2およびR3は一般式(1)の場合と同義であり、Xはハロゲン原子を表す。)で示される1-ハロゲノ-2-デオキシリボフラノース誘導体の製造方法。

IPC (4件)：

C07H 13/08 , C07H 13/06 , C07H 15/04 , C07H 15/18

FI (4件)：

C07H 13/08 , C07H 13/06 , C07H 15/04 A , C07H 15/18

Fターム (8件)：

4C057AA18 , 4C057BB02 , 4C057BB05 , 4C057CC02 , 4C057DD02 , 4C057HH03 , 4C057HH04 , 4C057JJ03

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