特許

J-GLOBAL ID：200903070406868633

ポジ型レジスト組成物

発明者： 阿出川 豊
出願人/特許権者： 富士写真フイルム株式会社
代理人 (5件)： 小栗 昌平 ,  本多 弘徳 ,  市川 利光 ,  高松 猛 ,  濱田 百合子
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2003-053704
公開番号（公開出願番号）：特開2004-264479
出願日： 2003年02月28日
公開日（公表日）： 2004年09月24日
要約：

【課題】半導体デバイスの製造において、ArFやKrFを光源とする遠紫外線領域の露光に対応し得、解像力、マスクリニアリティー、スカム、膜べり、SEMシュリンクに優れたポジ型レジスト組成物を提供する。【解決手段】(A)下記一般式(A)で表される特定構造の、酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び(B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物及びを含有するポジ型レジスト組成物。【選択図】 なし

請求項（抜粋）：

(A)酸の作用により分解し、アルカリ現像液に対する溶解度が増大する樹脂及び (B)活性光線又は放射線の照射により、酸を発生する化合物 を含有するポジ型レジスト組成物に於いて、 (A)成分の樹脂が、下記一般式(A)で表される基と、(メタ)アクリル酸エステル系繰り返し単位とを有し、且つ(メタ)アクリル酸エステル系繰り返し単位中のアクリル酸エステル系繰り返し単位の割合が、0モル%を超えるものであることを特徴とするポジ型レジスト組成物。

IPC (5件)：

G03F7/039 ,  C08F22/00 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  H01L21/027

FI (5件)：

G03F7/039 601 ,  C08F22/00 ,  C08F222/00 ,  C08F230/08 ,  H01L21/30 502R

Fターム (30件)：

2H025AA02 ,  2H025AA04 ,  2H025AC04 ,  2H025AC08 ,  2H025AD03 ,  2H025BE00 ,  2H025BE10 ,  2H025BG00 ,  2H025CB08 ,  2H025CB10 ,  2H025CB14 ,  2H025CB33 ,  2H025CB34 ,  2H025CB45 ,  2H025CC04 ,  2H025CC20 ,  2H025FA17 ,  4J100AL03Q ,  4J100AL08P ,  4J100AL08R ,  4J100AL82R ,  4J100AL83R ,  4J100AM33R ,  4J100AM37R ,  4J100BA04R ,  4J100BA05R ,  4J100BA06R ,  4J100BA53R ,  4J100BA81P ,  4J100JA38