特許
J-GLOBAL ID：200903070410104605
MOSトランジスタ及びその製造方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
梅田 勝
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-041811
公開番号（公開出願番号）：特開平5-243564
出願日： 1992年02月28日
公開日（公表日）： 1993年09月21日
要約：
【要約】【構成】 シリコン基板1上にシリコン酸化膜2を膜厚2000〜4000Å堆積し、次にゲート電極6領域のシリコン酸化膜2をエッチングで除去し、ゲート酸化膜3を膜厚100〜200Å堆積する。その後、タングステンシリサイド膜4を膜厚1000〜2000Å堆積し、エッチバックを行いサイドウォール部を形成する。次に、リンドープポリシリコン5を4000〜8000Å堆積し、エッチバックを行いゲート電極領域を埋め込み、シリコン酸化膜2を除去し、ゲート電極6を形成する。その後、ソース/ドレイン領域7を形成する。【効果】 イオン注入により、しきい値電圧を調整しないため、基板表面濃度を変化させることなく、すなわち、電流特性に影響を与えることなく、容易にしきい値電圧を変化させることができる。
請求項（抜粋）：
ゲート電極のゲート酸化膜に接する部分が仕事関数の異なる材料によって形成されていることを特徴とするMOSトランジスタ。
IPC (2件)：
H01L 29/784
, H01L 27/088
H01L 29/78 301 G
, H01L 27/08 102 C
