特許

J-GLOBAL ID：200903070413962513

不揮発性メモリ素子およびその製造方法

発明者： 武藤 浩隆 ,  南 伸太朗 ,  足達 廣士
出願人/特許権者： 三菱電機株式会社
代理人 (1件)： 大岩 増雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-256588
公開番号（公開出願番号）：特開平7-111293
出願日： 1993年10月14日
公開日（公表日）： 1995年04月25日
要約：

【要約】【目的】 ビット線およびドレイン領域に高電圧が印加されたときでもセルトランジスタの浮遊ゲートに蓄積された電子が浮遊ゲートより流出することを防ぐ不揮発性メモリ素子を得ることである。【構成】 不揮発性メモリのセルトランジスタにおいて、浮遊ゲート3上に絶縁膜4および側壁絶縁膜7を形成し、絶縁膜4および側壁絶縁膜7上に制御ゲート8を形成して制御ゲート8が浮遊ゲート3を覆うような構造をとる。さらにドレイン領域5、ソース領域6および制御ゲート8上に層間絶縁膜9と、層間絶縁膜9上にビット線10を形成するものである。

請求項（抜粋）：

シリコン基板の一面に配置されたドレイン領域およびソース領域の一部に重なるようにシリコン基板上に形成された第一の絶縁膜、上記第一の絶縁膜上に形成された浮遊ゲート、上記浮遊ゲートの上面部および側面部に形成された第二の絶縁膜、上記第二の絶縁膜を介して上記浮遊ゲートの上面部、および側面部の少なくとも一部を覆うように形成された制御ゲート、上記ドレイン領域、ソース領域、制御ゲート上に形成された第三の絶縁膜、上記ドレイン領域と接触し、上記第三の絶縁膜上に形成された金属膜を備えたことを特徴とする不揮発性メモリ素子。

IPC (4件)：

H01L 21/8247 ,  H01L 29/788 ,  H01L 29/792 ,  H01L 27/115

FI (2件)：

H01L 29/78 371 ,  H01L 27/10 434