特許
J-GLOBAL ID：200903070421420592
巨大磁気抵抗効果メモリセル
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
山本 秀策
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-512956
公開番号（公開出願番号）：特表2002-516013
出願日： 1997年09月05日
公開日（公表日）： 2002年05月28日
要約：
【要約】異なる厚さの磁気抵抗性の異方性強磁性薄膜(12、13、13;12)を有する2つの主表面を有する中間分離材料(14)をベースとするメモリセル内にビット構造を有するベースデジタルメモリ。これらのビット構造は良好に動作する構造的範囲(structural extent limits)内で製造され、且つ、記憶ライン構造の直列接続部材として製造される。データの記憶および検索処理において、これらのメモリセルうちの対応するメモリセルに隣接する対応導電性ワードライン構造(22)を用いてこれらのメモリセルの選択または動作、あるいはその両方を行う。ビット構造(20)は、さらなる交互に繰り返される中間分離材料層(15、16)および異なる厚さの強磁性薄膜層(12、13;13;’12)を用いて製造され得、その構成は分離されたメモリセルとして使用するために提供され得る。
請求項（抜粋）：
磁気抵抗性の強磁性薄膜ベースデジタルメモリであって、 少なくとも1つの方向に電流を流すのに適した端部端子領域からなる第1の記憶ライン対を有する第1の記憶ライン構造であって、該記憶ライン端部端子領域間には少なくとも1つのビット構造が電気的に接続されており、該ビット構造のそれぞれが、 両側に2つの主表面を有する中間層であって、該主表面が互いに50Å未満だけ分離された中間層、および 該中間層主表面のそれぞれの上に設けられる厚さ100Å未満の磁気抵抗性の異方性強磁性材料からなるメモリ膜であって、該メモリ膜の組成は実質的に同一であるが、該メモリ膜の厚さは各表面から外向きの方向に互いに少なくとも5%だけ異なり、これにより、主に、該中間層主表面のそれぞれに隣接する該膜の複数の磁化について複数の切り替えしきい値を与え、該しきい値の値は、両者が初めに実質的に共通の方向に向いた状態から互いに実質的に反対の方向に向いた状態へと該磁化を切り替える場合と、初めに互いに実質的に反対の方向に向いた状態から両者が実質的に共通の方向に向いた状態へと切り替える場合とで異なる、メモリ膜、 を有する、第1の記憶ライン構造と、 少なくとも1つの方向に電流を流すように調節された1対のワードライン端部端子領域を有するワードライン構造であって、該1対のワードライン端部端子領域間には電気伝導体が電気的に接続されており、該電気伝導体は、対応する該ビット構造の該中間層における該主表面のうちの一方の上にある該メモリ膜から電気絶縁層上に位置する、ワードライン構造と、を備えた、メモリ。
IPC (3件)：
G11C 11/14
, H01L 27/105
, H01L 43/08
G11C 11/14 A
, H01L 43/08 Z
, H01L 27/10 447
