特許
J-GLOBAL ID：200903070424406132
エッチング方法
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-285013
公開番号（公開出願番号）：特開平8-148468
出願日： 1994年11月18日
公開日（公表日）： 1996年06月07日
要約：
【要約】【構成】 表面に絶縁膜23が形成されたシリコンまたはシリコン化合物を形成した後シリコンまたはシリコン化合物上にレジスト21を形成し、その後レジスト21をマスクとしてレジストで覆われていないシリコンまたはシリコン化合物をメインエッチングする。さらに、等方エッチ成分がなくかつ絶縁膜23との選択比が30以上ある条件でエッチングを行った後、等方エッチ成分を有し絶縁膜23との選択比が100以上ある条件でエッチングを行う。【効果】 ロ-デ<HAN>ィ</HAN>ング効果により、従来の方法のみではエッチング残りが生じる密パターン周辺(ライン&スペ-ス部)においても、くびれ形状にならない良好な垂直形状が高選択比、高寸法制御のもとで実現できる。
請求項（抜粋）：
表面に絶縁膜が形成されたシリコンまたはシリコン化合物を形成する工程と、前記シリコンまたはシリコン化合物上にレジストを形成する工程と、前記レジストをマスクとして前記レジストで覆われていない前記シリコンまたはシリコン化合物をメインエッチングする第1のエッチング工程と、前記第1のエッチングの後等方エッチ成分がなくかつ前記絶縁膜との選択比が30以上ある条件でエッチングを行う第2のエッチング工程と、前記第2のエッチング工程の後等方エッチ成分を有し前記絶縁膜との選択比が100以上ある条件でエッチングを行う第3のエッチング工程とを有するエッチング方法。
IPC (2件)：
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