特許
J-GLOBAL ID:200903070426870324

可視光発光ダイオードの製造方法

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 池田 治幸 (外2名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平8-018660
公開番号(公開出願番号):特開平9-213992
出願日: 1996年02月05日
公開日(公表日): 1997年08月15日
要約:
【要約】【課題】 高い発光効率の可視光発光ダイオードを容易に得ることができる製造方法を提供する。【解決手段】 境界層形成工程に対応する図2(a) において、基板44上にconcHClに対するエッチング速度が大きい境界層46が形成され、次いで発光部形成工程に対応する図2(c) において、その境界層44の上側に複数の半導体層が結晶成長させられることにより発光部40が形成され、更に分離工程に対応する図2(e) において、conc HClでエッチング処理して境界層46を除去することにより、発光部40が基板44から分離される。このため、製造されたLED10の裏面側には、発光層に対応する活性層14で発生した光を吸収する基板(すなわち基板44)が存在しないことから、その裏面側に向かう光はLED10の裏面(すなわち基板26の裏面42)で反射されて発光部40の表面側すなわち光取り出し面38から放射される。
請求項(抜粋):
発光層を含む複数の半導体層から成る発光部を有する可視光発光ダイオードの製造方法であって、所定の基板上に前記発光部よりも所定のエッチング液に対するエッチング速度が大きい半導体から成る境界層を結晶成長させる境界層形成工程と、該境界層の上側に前記複数の半導体層を結晶成長させることにより、前記発光部を形成する発光部形成工程と、前記所定のエッチング液を用いて前記境界層をエッチング処理して除去することにより、前記発光部を前記基板から分離する分離工程とを、含むことを特徴とする可視光発光ダイオードの製造方法。

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