特許

J-GLOBAL ID：200903070431009165

イオン注入装置

発明者： 桜田 勇蔵 ,  新倉 高一 ,  美原 康雄 ,  塚越 修
出願人/特許権者： 日本真空技術株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平3-081638
公開番号（公開出願番号）：特開平6-119902
出願日： 1991年03月20日
公開日（公表日）： 1994年04月28日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】デバイスに金属不純物等の異物が混入することを防止して、デバイスの性能を向上させ、歩留りを改善することの可能なイオン注入装置を提供する。【構成】イオン分析マグネット13の内面にシリコン製のライナー14を貼ると共に、イオン分析マグネットと加速管20との間に、ビームマスク15、ゲート電極16、スリット18、低エネルギーイオン反射電極19の順に配置し、ゲート電極にビームゲート電源17からの出力を印加して、イオンビームを跳ね上げる。

請求項（抜粋）：

イオン源より引出されたイオンビームの中からイオン注入に必要なイオンのみをイオン分析マグネットで選択してから、イオンビームを加速管で加速して、それをウエーハに注入するイオン注入装置において、上記イオン分析マグネットの内面にシリコン製のライナーを貼ると共に、上記イオン分析マグネットと上記加速管との間に、ビームマスク、ゲート電極、スリット、低エネルギーイオン反射電極の順に配置し、上記ゲート電極にビームゲート電源からの出力を印加して、イオンビームを跳ね上げることを特徴とするイオン注入装置。

IPC (5件)：

H01J 37/317 ,  C23C 14/48 ,  H01J 37/05 ,  H01J 37/08 ,  H01L 21/265