面出射形半導体レーザ

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-147049
公開番号（公開出願番号）：特開平5-343796
出願日： 1992年06月08日
公開日（公表日）： 1993年12月24日
要約：

【要約】【目的】反射鏡を構成する材料の屈折率の比を大きくし、少ない積層層厚と優れた反射率特性が期待できる反射板を用いた低閾値の面出射形半導体レーザを提供することにある。【構成】本発明による面出射形半導体レーザでは、多層反射膜11及び13を構成する2種の層のうち低屈折率層に発振波長より小さいバンドギャップ波長を有しInPに格子整合するII-VI族化合物半導体層を用いている。そのため、従来のIII-V族化合物半導体層を用いる場合に比べ屈折率が3.17から2.4程度と小さくできる為、11周期の積層構造で反射率が99.9%で、積層層厚は3μmと従来にくらべて非常に薄くかつ高反射率化できる。従って、従来に比べ積層層厚が低減でき、かつ、反射率を高くできる為発振閾値をより低減できる。

請求項（抜粋）：

発光層と、前記発光層を挟む2つの反射鏡とがInP基板上に積層された構造を有する面出射形半導体レーザにおいて、前記反射鏡のうち少なくとも基板側の反射鏡が出射光の波長より小さいバンドギャップ波長を有しInPに格子整合した組成III-V族化合物半導体層とII-VI族化合物半導体層との少なくとも1周期の繰り返しからなる多層反射膜であることを特徴とする面出射形半導体レーザ。

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