特許

J-GLOBAL ID：200903070436729867

フッ化物薄膜の製造方法および製造装置

発明者： 北本 達也
出願人/特許権者： 株式会社ニコン
代理人 (1件)： 古谷 史旺 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平10-059495
公開番号（公開出願番号）：特開平11-172421
出願日： 1998年03月11日
公開日（公表日）： 1999年06月29日
要約：

【要約】【課題】 安全性、利便性、環境性があり、λ=400nm以下の波長領域で膜損失の小さなフッ化物薄膜の製造方法および製造装置を提供すること。【解決手段】 真空雰囲気中で蒸発源2からフッ素化合物3を飛散させて基板5上に成膜するフッ化物薄膜の製造方法において、成膜中に、ガス化装置4から真空チャンバ1内に、フッ化キセノンガスを飛散させるものである。

請求項（抜粋）：

真空雰囲気中で蒸発源からフッ素化合物を飛散させて基板上に成膜するフッ化物薄膜の製造方法において、前記成膜中に、フッ化キセノンガスを飛散させることを特徴とするフッ化物薄膜の製造方法。

IPC (6件)：

C23C 14/24 ,  C23C 14/06 ,  G02B 1/10 ,  G02B 5/08 ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28

FI (6件)：

C23C 14/24 M ,  C23C 14/06 G ,  G02B 5/08 A ,  G02B 5/26 ,  G02B 5/28 ,  G02B 1/10 Z