特許

J-GLOBAL ID：200903070437452664

薄膜生成装置

発明者： 田雑 寅夫 ,  山田 一二三 ,  根橋 清
出願人/特許権者： 石川島播磨重工業株式会社
代理人 (1件)： 絹谷 信雄
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-331822
公開番号（公開出願番号）：特開平6-179966
出願日： 1992年12月11日
公開日（公表日）： 1994年06月28日
要約：

【要約】【目的】 成膜速度が速く、常に使用できる薄膜生成装置を提供する。【構成】 真空容器20に設けられたプラズマ銃22から電極に向けてプラズマを出射し、そのプラズマ流21を用いて基板36に薄膜を形成する薄膜生成装置において、電極26、28、29を、円筒状に形成すると共に内部に永久磁石26a、28a、29aを設け、この永久磁石26a、28a、29aを設けた円筒状の電極26a、28a、29aを、プラズマ流21の下流側に位置して水平に配置すると共に電極26、28、29に回転手段31、32、33を連結し、電極26、28、29に、その電極26、28、29の表面に付着した付着物を除去する掻取り具40を接触させて設けたことを特徴としている。

請求項（抜粋）：

真空容器に設けられたプラズマ銃から電極に向けてプラズマを出射し、そのプラズマ流を用いて基板に薄膜を形成する薄膜生成装置において、前記電極を、円筒状に形成すると共に内部に永久磁石を設け、この永久磁石を設けた円筒状の電極を、前記プラズマ流の下流側に位置して水平に配置すると共に前記電極に回転手段を連結し、前記電極に、その電極の表面に付着した付着物を除去する掻取り具を接触させて設けたことを特徴とする薄膜生成装置。

IPC (2件)：

C23C 14/32 ,  H01L 21/203