熱電変換素子およびその製造方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：佐藤成示 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-342878
公開番号（公開出願番号）：特開平10-190070
出願日： 1996年12月24日
公開日（公表日）： 1998年07月21日
要約：

【要約】【課題】電極と熱電半導体との接合強度が十分に高く、拡散による経時劣化もなくて信頼性が高く、拡散防止層を薄くできて、製造容易な熱電変換素子およびその製造方法の提供。【解決手段】熱電半導体1と電極2とを接合してなる熱電変換素子において、熱電半導体1をビスマス-アンチモン-テルル-セレン系合金とし、この熱電半導体1の上に錫、ビスマスまたはアンチモンのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散層3を形成し、この拡散層3の上にモリブデン、タングステンまたはニオブのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散防止層4を形成し、この拡散防止層4の上に電極2を形成している。

請求項（抜粋）：

熱電半導体と電極とを接合してなる熱電変換素子において、熱電半導体をビスマス-アンチモン-テルル-セレン系合金とし、この熱電半導体の上に錫、ビスマスまたはアンチモンのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散層を形成し、この拡散層の上にモリブデン、タングステンまたはニオブのうちの少なくとも一種類の金属からなる拡散防止層を形成し、この拡散防止層の上に電極を形成してなることを特徴とする熱伝変換素子。

IPC (3件)：

H01L 35/08 , H01L 35/16 , H01L 35/32

FI (3件)：

H01L 35/08 , H01L 35/16 , H01L 35/32 A

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