極薄基板上の量子井戸熱電材料

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：小栗昌平 (外4名)
公報種別：公表公報
出願番号（国際出願番号）：特願2000-583095
公開番号（公開出願番号）：特表2002-530874
出願日： 1999年11月12日
公開日（公表日）： 2002年09月17日
要約：

【要約】熱電装置に使用するための熱電素子(62A、64A、66A、62B、64B及び66B)。熱電素子は極薄基板上に蒸着した極めて多数の半導体材料の交互した層を持つ。半導体材料の層はバリア半導体材料と導電半導体材料との間で交互し、導電半導体材料の薄層内に量子井戸を創出する。導電半導体材料は導電特性を創出するためにドープされる。基板は、好ましくは極めて薄く、良好な熱及び電気絶縁体であり、熱安定性を有し極めて強靭、可撓性でなければならない。好ましい実施態様では、薄い有機基板は結晶シリコンの滑らかな薄いフィルムで被覆されたポリイミドの薄いフィルム(具体的には、カプトン(R))である。基板の肉厚は約0.3ミル(127ミクロン)である。結晶シリコンの層は約0.1ミクロンの肉厚である。この実施態様は薄いカプトン基板の両面にシリコンとシリコン-ゲルマニウムの約3000層を交互に含み、それぞれの層は約100Åで、層全体の肉厚は約30ミクロンである。

請求項（抜粋）：

(A)厚さが20mil未満の電気絶縁材料の基板と、(B)少なくとも二種類の異なる半導体材料を有する層を含み、これら二種類の材料の第一がバリア半導体材料を画定し、これら二種類の材料の第二が導電半導体材料を画定する前記基板上に蒸着された極めて薄い複数の交互する前記層と、を備え、前記バリア半導体材料及び前記導電半導体材料が同じ結晶構造を有し、前記導電半導体材料はドープされて導電特性を創出し、前記少なくとも二種類の材料の前記層配列が前記導電半導体材料の前記層内で量子井戸を創出することを特徴とする熱電装置に使用するための量子井戸熱電素子。

IPC (6件)：

H01L 35/14 , H01L 29/06 601 , H01L 35/32 , H01L 35/34 , H02N 11/00 , C23C 14/06

FI (6件)：

H01L 35/14 , H01L 29/06 601 W , H01L 35/32 A , H01L 35/34 , H02N 11/00 A , C23C 14/06 M

Fターム (6件)：

4K029AA11 , 4K029BA21 , 4K029BA35 , 4K029BB02 , 4K029CA01 , 4K029CA05

引用特許：

審査官引用 (2件)

半導体素子及びその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平7-261651 出願人：シャープ株式会社
熱電変換素子およびその製造方法
公報種別：公開公報出願番号：特願平10-078940 出願人：株式会社東芝

引用文献：

審査官引用 (2件)

Low Power Thermoelectric Generator - self-sufficient energy supply for micro systems
Synthesis and Evaluation of Thermoelectric Multilayer Films

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