特許

J-GLOBAL ID：200903070440640110

陽極酸化装置及び陽極酸化方法

発明者： 小沼 利光 ,  菅原 彰 ,  上原 由起子
出願人/特許権者： 株式会社半導体エネルギー研究所
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-074023
公開番号（公開出願番号）：特開平7-263437
出願日： 1994年03月17日
公開日（公表日）： 1995年10月13日
要約：

【要約】【目的】 基板上の薄膜金属に対し陽極酸化を行う際に、膜質および膜厚の基板面内、多数基板間における均一化を図る。【構成】 陰極電極と、陽極配線と、前記陽極配線と電気的に接続された薄膜金属と、前記陰極電極と前記薄膜金属との間に流出される陽極酸化液とを有し、前記陽極酸化液は、前記陰極電極と前記陽極配線とを電気的に接続している。また薄膜金属を回転面上に設ける。

請求項（抜粋）：

陰極電極と、陽極配線と、前記陽極配線と電気的に接続された薄膜金属と、前記陰極電極と前記薄膜金属との間に流出される陽極酸化液とを有し、該陽極酸化液は、前記陰極電極と前記陽極配線とを電気的に接続していること、を特徴とする陽極酸化装置。

IPC (2件)：

H01L 21/316 ,  H01L 29/40

引用特許：

審査官引用 (2件)

• 特開昭62-299036
  
• 陽極酸化方法
  公報種別：公開公報   出願番号：特願平4-267737   出願人：富士通株式会社