特許

J-GLOBAL ID：200903070443218851

半導体エネルギー線検出器の製造方法

発明者： 村松 雅治 ,  須山 本比呂 ,  山本 晃永
出願人/特許権者： 浜松ホトニクス株式会社
代理人 (1件)： 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-133666
公開番号（公開出願番号）：特開平6-350068
出願日： 1993年06月03日
公開日（公表日）： 1994年12月22日
要約：

【要約】 (修正有)【目的】 半導体基板が補強後に均一な厚さに薄板化され、エネルギー線入射面に凹凸を生じないように組立られる裏面照射型の半導体エネルギー検出器の製造方法である。【構成】 まず、P/P+型シリコン基板25の表面側にCCD26及び金属配線27を形成する(a)。次に、ボンディングパッドを除く25の露出面上にシリコン窒化膜28を堆積し、金属配線27上に金属バンプ35を成形する(b)。35に対向配置するようにサブストレイト36上に凹部39を形成し、金属配線37を形成する(c)。35を凹部39に挿着した後、35と37を接続する。CCD26と36の間隙に絶縁性の低融点ガラス41を充填硬化させる(d)。型基板25全体を裏面側から薄板化して裏面シリコン酸化膜を形成し、その内部にP+型アキュームレイション層を形成してアクティベーションを行う。36をセラミックパッケージ内部の底面にダイボンディングして、ボンディングパッドおよびリードをボンディングする。さらに、パッケージ上部に入射窓を設置する。

請求項（抜粋）：

薄板化された半導体基板の裏面に入射したエネルギー線を検出する半導体エネルギー線検出器の製造方法において、前記半導体基板上にエネルギー線検出素子に接続された金属バンプを所定高さに成形する第1の工程と、サブストレイト上に前記金属バンプに対向配置された凹部を所定深さに形成し、該凹部を含む該サブストレイト上に金属配線を形成する第2の工程と、前記金属バンプを前記凹部に挿着して形成された前記半導体基板および前記サブストレイトの間隙に絶縁性を有する充填剤を充填して硬化する第3の工程と、前記充填剤を介して前記サブストレイトを固着された表面に対向配置された裏面側から前記半導体基板を薄板化する第4の工程とを備えることを特徴とする半導体エネルギー線検出器の製造方法。