特許
J-GLOBAL ID：200903070443385561
半導体製造装置用プロセス対応制御システム
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
石戸 元
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-016244
公開番号（公開出願番号）：特開平7-226351
出願日： 1994年02月10日
公開日（公表日）： 1995年08月22日
要約：
【要約】【目的】 使い勝手がよく、複合プロセス設定ができて顧客毎の成膜仕様に簡単に対応でき、ガス爆発・漏れを防止して安全性を確保する。【構成】 成膜室でのウェーハの成膜処理を制御する下位制御装置1と、ウェーハを成膜処理するための成膜パターン等を入力する入力装置2と、該成膜パターン等を表示する表示装置3と、予じめ設置した成膜パターン等を記憶する記憶装置4と、前記入力装置2,表示装置3及び記憶装置4を制御し,該記憶装置4に記憶された成膜パターンを処理し,該成膜パターンデータを前記下位制御装置に送信してこれを制御する制御装置5とよりなり、前記成膜パターンを示す制御パラメータを前記表示装置3に表示させるパラメータ設定及びその画面表示手段8と、前記記憶装置4に記憶した2以上の成膜パターンを切替える成膜パターン切替及びその表示手段9と、前記入力装置2からの入力の許可、不許可判定及びその表示手段10とを前記制御装置5に有せしめてなる。
請求項（抜粋）：
成膜室でのウェーハの成膜処理を制御する下位制御装置と、ウェーハを成膜処理するための成膜パターン等を入力する入力装置と、該成膜パターン等を表示する表示装置と、予め設定した成膜パターン等を記憶する記憶装置と、前記入力装置,表示装置及び記憶装置を制御し、該記憶装置に記憶された成膜パターンを処理し、該成膜パターンデータを下位制御装置に送信してこれを制御する制御装置とよりなる半導体製造装置用プロセス対応制御システムにおいて、成膜パターンを示す制御パラメータを前記表示装置に表示させるパラメータ設定及びその画面表示手段と、前記記憶装置に記憶した2以上の成膜パターンを切替える成膜パターン切替え及びその表示手段と、前記入力装置からの入力の許可、不許可判定及びその表示手段とを前記制御装置に有せしめてなることを特徴とする半導体製造装置用プロセス対応制御システム。
IPC (3件)：
H01L 21/02
, H01L 21/203
, H01L 21/205
