特許

J-GLOBAL ID：200903070443662867

シリコン積層体

発明者： 河野 尚毅
出願人/特許権者： 東燃株式会社
代理人 (1件)： 久保田 耕平 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平5-329485
公開番号（公開出願番号）：特開平7-187643
出願日： 1993年12月27日
公開日（公表日）： 1995年07月25日
要約：

【要約】【目的】 光電変換効率の向上が図れかつ太陽電池や光センサ等にそのまま適用可能なシリコン積層体を提供すること。【構成】 このシリコン積層体20は、カーボンシートから成る基材21と、この表面に形成されたZrCから成る光反射膜22と、この表面に順次形成されたSiC膜24及びSiCx 膜25(0<x<1)と、このSiCx 膜25上に製膜されたp型多結晶シリコン膜23とで構成されている。このシリコン積層体によれば、多結晶シリコン膜内に入射された光が光反射膜において反射されかつこの反射光が多結晶シリコン膜表面において反射されて多重反射が繰返されると共に光電変換も繰返される。また、SiCx 膜の作用によりこの膜上に多結晶シリコン膜をエピタキシャル的に成長させることが可能になるためその結晶性の改善も図れる。

請求項（抜粋）：

基材と、この基材表面に形成された光反射膜と、この光反射膜表面に形成された多結晶シリコン膜とで構成されることを特徴とするシリコン積層体。

IPC (3件)：

C01B 33/02 ,  C23C 16/32 ,  H01L 31/04

FI (2件)：

H01L 31/04 X ,  H01L 31/04 F