特許
J-GLOBAL ID：200903070446489848
半導体装置
発明者：
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出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
小鍜治 明 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-162475
公開番号（公開出願番号）：特開平6-005620
出願日： 1992年06月22日
公開日（公表日）： 1994年01月14日
要約：
【要約】【目的】 放熱特性が良く、しかも抵抗成分の少ない優れた高周波電力用半導体を提供することを目的としている。【構成】 半絶縁性GaAs基板1の主面側に、バイポーラトランジスタのコレクター3、ベース4、エミッター5となる半導体活性層を連続的に積層する。積層された半導体活性層の最下位に位置する半導体活性層に到達する半絶縁性GaAs基板1の反対主面から形成された溝11を介して裏面電極12を形成する。他の積層された半導体活性層には半絶縁性GaAs基板1の主面側から電極を引き出す。
請求項（抜粋）：
半絶縁性GaAs基板の主面側に、バイポーラトランジスタのコレクター、ベース、エミッターとなる半導体活性層が連続的に積層されており、前記積層された半導体活性層の最下位に位置する半導体活性層に到達する半絶縁性GaAs基板の反対主面から形成された溝を介して裏面電極を形成すると共に、他の積層された半導体活性層には半絶縁性GaAs基板の主面側から電極を引き出すことを特徴とする半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
