特許

J-GLOBAL ID：200903070448643577

シリコン単結晶の結晶欠陥評価方法

発明者： 飯野 栄一
出願人/特許権者： 信越半導体株式会社
代理人 (1件)： 好宮 幹夫
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-254834
公開番号（公開出願番号）：特開2001-081000
出願日： 1999年09月08日
公開日（公表日）： 2001年03月27日
要約：

【要約】【課題】 低酸素濃度のシリコン単結晶の場合に検出されにくいOSFあるいはOSFの核が存在している位置を確認する方法と、併せて転位クラスタを検出する方法を提供し、さらなるシリコン単結晶の高品質化を図ることを主目的とする。【解決手段】 銅で汚染した試料を熱処理した後、急冷する銅デコレーション法により、チョクラルスキー法シリコン単結晶中の結晶欠陥を検出する方法において、結晶中の格子間酸素濃度が10×1017atoms/cm3 (ASTM’79)以下のシリコン単結晶に対して銅デコレーション法を施し、OSFまたはOSFとなる核が存在する領域を検出することを特徴とするシリコン単結晶の欠陥評価方法。

請求項（抜粋）：

試料表面を銅(Cu)で汚染し、熱処理によって銅を試料中に拡散させた後、試料を急冷することによって結晶表面の欠陥を顕在化させる銅デコレーション法を用いたシリコン単結晶の結晶欠陥評価方法において、結晶中の格子間酸素濃度が10×1017atoms/cm3 (ASTM’79)以下のチョクラルスキー法で製造したシリコン単結晶に対して銅デコレーション法を施し、OSFまたはOSFとなる核が存在する領域を検出することを特徴とするシリコン単結晶の結晶欠陥評価方法。

IPC (4件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/06 ,  H01L 21/02 ,  H01L 21/66

FI (4件)：

C30B 33/00 ,  C30B 29/06 B ,  H01L 21/02 Z ,  H01L 21/66 N

Fターム (11件)：

4G077AA02 ,  4G077AB01 ,  4G077BA04 ,  4G077GA01 ,  4G077GA05 ,  4M106AA01 ,  4M106BA20 ,  4M106CB03 ,  4M106CB19 ,  4M106CB20 ,  4M106DB18