特許

J-GLOBAL ID：200903070448686500

固体撮像装置およびその駆動方法

発明者： 山田 徹
出願人/特許権者： 松下電器産業株式会社
代理人 (1件)： 特許業務法人池内・佐藤アンドパートナーズ
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2006-005083
公開番号（公開出願番号）：特開2006-121112
出願日： 2006年01月12日
公開日（公表日）： 2006年05月11日
要約：

【課題】 低スミア、低読み出し電圧および低暗電流を実現できる固体撮像装置を提供する。 【解決手段】 P-型ウェル領域402内にN型光電変換領域403が形成された固体撮像装置において、N型光電変換領域403の端部を除く部分にP++型正孔蓄積領域407を、当該端部を含む領域の表層部上にP型不純物領域430を形成する。また、P型不純物領域430上に第2層間絶縁膜414を介して、導電性遮光膜415を形成する。この遮光膜415にマイナス電圧を印加することにより、P型不純物領域430の表層部にP++型蓄積領域431を形成する。【選択図】 図19

請求項（抜粋）：

第1導電型半導体基板内に形成された第2導電型光電変換領域と、前記第2導電型光電変換領域と隣接するように、前記基板内に形成された転送チャネル領域と、前記基板の前記第2導電型光電変換領域と隣接する領域上にゲート絶縁膜を介して形成された電極と、前記第2導電型光電変換領域の端部を含む領域および前記電極の上方に層間絶縁膜を介して形成され、且つ、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を除く領域の上方に開口を有する導電性遮光膜と、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を除く領域の表層部に形成された不純物拡散領域である高濃度第1導電型半導体領域と、前記第2導電型光電変換領域の前記端部を含む領域の表層部に形成された低濃度第1導電型半導体領域と、前記導電性遮光膜に所定の電圧を印加するための電圧印加手段を備え、 前記電圧印加手段から前記導電性遮光膜に一の極性の電圧が印加されることによって、前記低濃度第1導電型半導体領域の表層部に前記低濃度第1導電型半導体領域よりも高濃度のキャリア発生領域である第1導電型蓄積領域が形成されることを特徴とする固体撮像装置。

IPC (3件)：

H01L 27/148 ,  H01L 27/14 ,  H04N 5/335

FI (3件)：

H01L27/14 B ,  H01L27/14 D ,  H04N5/335 P

Fターム (21件)：

4M118AA05 ,  4M118AB01 ,  4M118BA13 ,  4M118CA04 ,  4M118CA32 ,  4M118CB14 ,  4M118DA03 ,  4M118FA06 ,  4M118FA26 ,  4M118FA35 ,  4M118GB03 ,  4M118GB08 ,  4M118GB11 ,  4M118GB15 ,  4M118GC07 ,  4M118GD04 ,  4M118GD07 ,  5C024CX13 ,  5C024CX31 ,  5C024GY01 ,  5C024HX02