半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法

発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：山本孝久
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-301565
公開番号（公開出願番号）：特開平6-132218
出願日： 1992年10月15日
公開日（公表日）： 1994年05月13日
要約：

【要約】【目的】より結晶欠陥を少なくすることができ、均一に結晶成長させ得る半導体結晶の成長方法及びMOS型トランジスタの作製方法を提供することにある。【構成】半導体結晶の形成方法は、(イ)基材10,12表面に微細な凹部14を形成する工程と、(ロ)凹部14内を含む基材表面に、多結晶の半導体層16を形成する工程と、(ハ)半導体層にイオン注入を施し、凹部内にある多結晶の半導体層16Aを除く半導体層16Bを非晶質化する工程と、(ニ)半導体層に低温アニール処理を施し、凹部内に残された多結晶の半導体層16Aを核として結晶成長を生じせしめ、非晶質化された半導体層16Bに単結晶あるいは多結晶を成長させる工程、から成る。

請求項（抜粋）：

(イ)基材表面に微細な凹部を形成する工程と、(ロ)凹部内を含む基材表面に、多結晶の半導体層を形成する工程と、(ハ)該半導体層にイオン注入を施し、凹部内にある多結晶の半導体層を除く半導体層を非晶質化する工程と、(ニ)半導体層に低温アニール処理を施し、凹部内に残された多結晶の半導体層を核として結晶成長を生じせしめ、非晶質化された半導体層に単結晶あるいは多結晶を成長させる工程、から成ることを特徴とする半導体結晶の成長方法。

IPC (4件)：

H01L 21/20 , H01L 21/265 , H01L 21/336 , H01L 29/784

FI (2件)：

H01L 21/265 Q , H01L 29/78 311 Y

引用特許：

審査官引用 (2件)

特開昭62-119914
特開昭62-119914

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