記憶素子の製造方法

発明者： , , ,
出願人/特許権者：
代理人 (13件)：前田弘 , 小山廣毅 , 竹内宏 , 嶋田高久 , 竹内祐二 , 今江克実 , 藤田篤史 , 二宮克也 , 原田智雄 , 井関勝守 , 米田圭啓 , 関啓 , 杉浦靖也
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願2005-140904
公開番号（公開出願番号）：特開2006-319166
出願日： 2005年05月13日
公開日（公表日）： 2006年11月24日
要約：

【課題】記録速度が非常に早く、更に、半導体プロセスにおいても特性劣化、特性バラツキの非常に少ない大容量の記憶素子を製造する製造方法を提供する。【解決手段】本発明は、第1の端子と、第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子との間に接続された可変抵抗材料と、を備え、前記第1の端子と前記第2の端子との間に電気的パルスを印加して前記可変抵抗材料の抵抗値を増加または減少させることにより情報を記録し、前記可変抵抗材料の抵抗値の大きさの違いに基づいて記録情報の読み出しを行う記憶素子の製造方法である。そして、前記可変抵抗材料として、Fe2O3を形成する工程と、前記Fe2O3を、Fe2O3とFe3O4との2相に分離させる水素還元工程と、を備えている。【選択図】図1

請求項（抜粋）：

第1の端子と、第2の端子と、前記第1の端子と前記第2の端子との間に接続された可変抵抗材料と、を備え、前記第1の端子と前記第2の端子との間に電気的パルスを印加して前記可変抵抗材料の抵抗値を増加または減少させることにより情報を記録し、前記可変抵抗材料の抵抗値の大きさの違いに基づいて記録情報の読み出しを行う記憶素子の製造方法であって、前記可変抵抗材料として、Fe2O3を形成する工程と、前記Fe2O3を、Fe2O3とFe3O4との2相に分離させる水素還元工程と、を備えていることを特徴とする記憶素子の製造方法。

IPC (1件)：

H01L 27/10

FI (1件)：

H01L27/10 451

Fターム (8件)：

5F083FZ10 , 5F083JA38 , 5F083JA43 , 5F083JA60 , 5F083MA06 , 5F083MA19 , 5F083PR18 , 5F083PR22

引用特許：

出願人引用 (1件)

米国特許第6,204,139号公報

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