特許
J-GLOBAL ID:200903070469643542

表面処理方法及び装置

発明者:
出願人/特許権者:
代理人 (1件): 長谷川 芳樹 (外3名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平4-050633
公開番号(公開出願番号):特開平5-251415
出願日: 1992年03月09日
公開日(公表日): 1993年09月28日
要約:
【要約】【目的】 より良好な光処理技術を提供する。【構成】 この装置は、エキシマレーザの光源120と、試料片110が置かれたチャンバー130とを有する。光源120には、活性な原子状の水素を発生させる為に必要な光子エネルギーを有する波長270nm以下のエキシマレーザが用いられている。チャンバー130は、合成石英またはMgF2 結晶でできたUV透過窓130aから光源120の光を入射し、試料片110の表面に照射されるようになっている。また、チャンバー130には、雰囲気ガスである水素H2を導入するとともに内部に溜ったガスを排気するようになっている。
請求項(抜粋):
処理対象を水素雰囲気中に置き、水素分子を解離させる紫外光を前記処理対象に照射することを特徴とする表面処理方法。
引用特許:
審査官引用 (3件)
  • 特開平3-288432
  • 特開平1-317347
  • 特開昭61-087338

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