特許
J-GLOBAL ID：200903070472521148
化合物半導体装置
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
安富 耕二 (外1名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平8-257093
公開番号（公開出願番号）：特開平10-107042
出願日： 1996年09月27日
公開日（公表日）： 1998年04月24日
要約：
【要約】【課題】 MMICに内蔵された抵抗素子の抵抗値のバラツキを減らし、その製造を容易なものとして、良好な製造歩留で製造することができる化合物半導体装置を提供する。【解決手段】 ヘテロ接合バイポーラトランジスタ30と抵抗素子31とを半絶縁性化合物半導体基板11上に形成した化合物半導体装置において、前記抵抗素子31は前記へテロ接合バイポーラトランジスタのサブコレクタ層と同一の材質の抵抗体19からなるものであり、前記サブコレクタ層12,19はコレクタ層側表面に異材質の薄いエッチングストップ層20を備え、該エッチングストップ層は異材質層20Aの片側又は両側に、コレクタ層、又は、サブコレクタ層の組成に連続的に変化する遷移層20B,20Cを設けた。
請求項（抜粋）：
ヘテロ接合バイポーラトランジスタと抵抗素子とを半絶縁性化合物半導体基板上に形成した化合物半導体装置において、前記へテロ接合バイポーラトランジスタは、コレクタ層と、該コレクタ層と同一導電型で高濃度のサブコレクタ層とを備え、前記抵抗素子は前記へテロ接合バイポーラトランジスタのサブコレクタ層と同一の材質からなるものであり、前記サブコレクタ層はコレクタ層側表面に異材質のエッチングストップ層を備え、該エッチングストップ層はその片側又は両側に、コレクタ層、又は、サブコレクタ層のバンドギャップ又は組成に連続的に変化する遷移層を設けたことを特徴とする化合物半導体装置。
IPC (3件)：
H01L 21/331
, H01L 29/73
, H01L 29/205
