特許
J-GLOBAL ID:200903070478072434
半導体装置
発明者:
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出願人/特許権者:
代理人 (1件):
三好 秀和 (外7名)
公報種別:公開公報
出願番号(国際出願番号):特願平11-134588
公開番号(公開出願番号):特開2000-323597
出願日: 1999年05月14日
公開日(公表日): 2000年11月24日
要約:
【要約】【課題】 ケース内部の合成樹脂の絶縁特性が吸湿によって低下している場合に、放電による半導体素子の破壊の発生を防止する。【解決手段】 平板が対向する電極11は、電極間に合成樹脂であるシリコーンゲル9が接触するように、かつ、半導体素子3の電極からの外部端子用リード線7等における電圧の影響を受けないようにケース6の内部に設置され、この電極11にリード線12を介して接続された測定器(図示せず)は、シリコーンゲル9の誘電率あるいは絶縁抵抗から湿度を測定する。半導体装置の使用者は、測定された湿度より、シリコーンゲル9が吸湿した状態にあると判断される場合には、当該半導体装置の起動を避けるようにする。
請求項(抜粋):
半導体素子が搭載された基板を内包するケースに合成樹脂を注入して密封した半導体装置において、前記合成樹脂の湿度を測定する測定手段を有することを特徴とする半導体装置。
IPC (3件):
H01L 23/02
, G01N 21/81
, G01N 27/02
FI (3件):
H01L 23/02 Z
, G01N 21/81
, G01N 27/02 A
Fターム (13件):
2G054AA01
, 2G054CA18
, 2G054EA06
, 2G060AA01
, 2G060AB02
, 2G060AE19
, 2G060AF07
, 2G060AF11
, 2G060AG03
, 2G060BB02
, 2G060BC01
, 2G060JA02
, 2G060KA04
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