特許

J-GLOBAL ID：200903070478306249

エピタキシャル成長装置

発明者： 尺田 幸男 ,  千田 和彦 ,  松尾 哲二
出願人/特許権者： ローム株式会社
代理人 (1件)： 稲岡 耕作 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平11-317151
公開番号（公開出願番号）：特開2001-135585
出願日： 1999年11月08日
公開日（公表日）： 2001年05月18日
要約：

【要約】【課題】ほぼ一様な厚みを有する半導体層を形成すること。【解決手段】収容室4内に配置された支持容器1は、半導体ウエハWを収容可能な有底円筒状の容器であって、半導体ウエハWを支持する底面12には、半導体ウエハWの中央部に対向する部分に開口11が形成されている。【効果】支持容器1の底面12に開口11が形成されていることにより、この開口11を介して露出した半導体ウエハWの下面の中央部は、処理室4内に形成された気流に触れて冷却される。したがって、溶融半導体材料Mが半導体ウエハW上でドーム状に盛り上がった状態になっていても、半導体ウエハWの表面付近における温度分布をほぼ一様にすることができ、半導体ウエハWの表面において半導体層をほぼ一様にエピタキシャル成長させることができる。

請求項（抜粋）：

処理室内で半導体基板の表面に溶融半導体材料を接触させて、当該半導体基板の表面に半導体層をエピタキシャル成長させるためのエピタキシャル成長装置であって、上記処理室内に配置されて、半導体基板の表面とは反対側の面である裏面を支持する支持部材を備えており、この支持部材には、上記半導体基板の裏面の中央部に対向する位置に凹欠部が形成されていることを特徴とするエピタキシャル成長装置。

IPC (3件)：

H01L 21/208 ,  H01L 21/68 ,  H01L 33/00

FI (3件)：

H01L 21/208 L ,  H01L 21/68 N ,  H01L 33/00 B

Fターム (19件)：

5F031CA02 ,  5F031HA06 ,  5F031HA07 ,  5F031HA08 ,  5F031MA28 ,  5F031MA29 ,  5F041AA31 ,  5F041CA37 ,  5F041CA63 ,  5F053AA25 ,  5F053AA44 ,  5F053BB60 ,  5F053DD03 ,  5F053DD07 ,  5F053FF01 ,  5F053GG01 ,  5F053HH04 ,  5F053LL02 ,  5F053RR01