シリコン単結晶の育成方法

発明者： ,
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：京本直樹 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-237911
公開番号（公開出願番号）：特開平6-092774
出願日： 1992年09月07日
公開日（公表日）： 1994年04月05日
要約：

【要約】【目的】結晶中に2x1017から2x1018個/cm3 までの任意の濃度の酸素を含み成長縞の無い均質なSi単結晶を得る。【構成】磁場印加チョクラルスキー法によるSi単結晶育成において、磁石1により結晶成長方向に平行でかつ軸対称な磁場を印加し、さらにX線透視法によりるつぼ9中のSi融液10の対流を観察し、流速が常に7.0mm/sec以下になるように磁場の強度を調節し結晶内の成長縞をなくすと共に結晶内の酸素濃度を制御する。

請求項（抜粋）：

磁場印加チョクラルスキー法によるシリコン単結晶の育成方法において、シリコン単結晶の成長方向に平行でかつ軸対称に磁場を印加し磁場の強度を調節して結晶内の成長縞をなくすと共に結晶内の酸素濃度を制御するためにるつぼ中のシリコン融液の対流速度を0〜7.0mm/secに設定することを特徴とするシリコン単結晶の育成方法。

IPC (4件)：

C30B 15/00 , C30B 15/20 , C30B 29/06 502 , H01L 21/208

引用特許：

審査官引用 (4件)

特開昭60-027682
特開昭60-036392
特開昭63-060192

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