特許
J-GLOBAL ID：200903070481741240
レーザダイオード
発明者：
出願人/特許権者：
代理人 (1件)：
吉田 研二 (外2名)
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平4-067565
公開番号（公開出願番号）：特開平5-275798
出願日： 1992年03月25日
公開日（公表日）： 1993年10月22日
要約：
【要約】【目的】 垂直方向の放射角度が小さく、かつ低しきい値を有する高効率のレーザダイオードを提供する。【構成】 GaAs基板1上に順次、GaAsバッファ層2、AlGaAs低屈折率層3、AlGaAsクラッド層4、AlGsAs低屈折率層5、AlGaAsクラッド層6、AlGaAs光ガイド層7、GaAs量子井戸層8、AlGaAs光ガイド層9、AlGaAsクラッド層10、AlGaAs低屈折率層11、AlGaAsクラッド層12、AlGaAs低屈折率層13、GaAsキャップ層14、SiNx 膜15を形成する。さらに両端に電極16,17を形成する。AlGsAs低屈折率層3,5,11,13により結合損失を比較的低く保ったまま遠視野像を狭くする。
請求項（抜粋）：
少なくとも1層の屈折率の高い層より成る光導波領域を少なくとも1層の屈折率の低い層を含む単相又は多層より成るクラッド領域により両側から挟んだ光導波用多層構造を有したレーザダイオードにおいて、光を閉じ込めるための少なくとも一つの該クラッド領域の中の前記光導波領域近傍に少なくとも1層の屈折率のより低い層を挿入し、かつ、該クラッド領域と上部電極層及び下部バッファ層との間あるいは該クラッド領域中の上部電極層及び下部バッファ層の近くに少なくとも1層の該クラッド領域より屈折率の低い層を挿入したことを特徴とするレーザダイオード。
引用特許：
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