特許

J-GLOBAL ID：200903070481933793

半導体集積回路装置およびその製造方法

発明者： 原田 卓 ,  熊澤 淳
出願人/特許権者： 株式会社日立製作所
代理人 (1件)： 筒井 大和
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平6-031729
公開番号（公開出願番号）：特開平7-240502
出願日： 1994年03月02日
公開日（公表日）： 1995年09月12日
要約：

【要約】【目的】 半導体基板と配線との間に形成される浮遊容量を低減し、信号伝送速度を向上させる。【構成】 フィールド絶縁膜7の上部に配置されたAl配線9dの直下のエピタキシャル層3中に酸化シリコン膜などの絶縁膜を埋め込んで絶縁層10を形成することにより、Al配線9dとその直下のエピタキシャル層3との間に形成される浮遊容量の低減を図る。

請求項（抜粋）：

半導体基板の主面に所定の半導体素子が形成された活性領域と、前記活性領域の周囲を囲む素子分離領域とを備える半導体集積回路装置であって、少なくともその上部に配線が形成された前記素子分離領域の下部の前記半導体基板中に絶縁層を設けたことを特徴とする半導体集積回路装置。

IPC (5件)：

H01L 27/04 ,  H01L 21/822 ,  H01L 21/265 ,  H01L 21/76 ,  H01L 21/3205

FI (4件)：

H01L 27/04 D ,  H01L 21/265 J ,  H01L 21/76 Z ,  H01L 21/88 A