特許

J-GLOBAL ID：200903070491250279

半導体装置およびその製造方法

発明者： 樋野 滋一 ,  池上 五郎
出願人/特許権者： 関西日本電気株式会社
公報種別：公開公報
出願番号（国際出願番号）：特願平9-078736
公開番号（公開出願番号）：特開平10-275826
出願日： 1997年03月31日
公開日（公表日）： 1998年10月13日
要約：

【要約】【課題】 半導体ペレットに形成した半田バンプ電極と配線基板に形成したパッド電極とを重合させて接続した半導体装置では、半田にクラックを生じると接続が不十分になり電気的接続が損なわれることがあった。【解決手段】 一主面に金属細線の先端に形成した溶融ボールを圧着し、金属細線を引きちぎることにより形成されたり凸部15bを有するバンプ電極15を形成した半導体ペレット11と、絶縁基板19に積層した導電パターン20のバンプ電極15と対応する要部に硬質金属22を被覆したパッド電極24を有する配線基板18とを、バンプ電極15とパッド電極24とを重合させて加熱圧着したフリップチップ構造の半導体装置において、配線基板18のパッド電極24が、加熱圧着に先だって、原子またはイオンを照射して清浄化されバンプ電極15とパッド電極24を被覆した硬質金属22の間に合金層25を形成し接合した半導体装置。

請求項（抜粋）：

金属細線の先端を溶融させて形成した金属ボールを圧着しこの圧着部から延びる金属細線をその一部を残して引き切ることにより形成された凸部を有するバンプ電極を一主面に形成した半導体ペレットと、絶縁基板に積層した導電パータンの要部に硬質金属を被覆してパッド電極を形成した配線基板とを対向させ、バンプ電極とパッド電極とを重合させて加熱圧着させたフリップチップ構造の半導体装置において、上記バンプ電極とパッド電極の加熱圧着に先立つパッド電極表面が原子またはイオンの照射により清浄化され、バンプ電極とパッド電極を被覆した硬質金属との間に合金層が形成されたことを特徴とする半導体装置。

IPC (3件)：

H01L 21/60 311 ,  H01L 21/607 ,  H01L 21/321

FI (4件)：

H01L 21/60 311 S ,  H01L 21/607 B ,  H01L 21/92 602 R ,  H01L 21/92 604 A